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研究了在３０Ｖ的直流偏压下，对ＰＥＣＶＤ工艺制备的ＳｉＯｘＮｙ薄膜进行电子注入，并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明，薄膜内有较多的受主陷阱，平带电压漂移在小电流下有显著变化，该方法对薄膜界面造成的损伤较小，禁带中的界面态密度变化不明显。
纳米级富氮SiOxNy薄膜的电子注入损伤研究
【摘 要】
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研究了在３０Ｖ的直流偏压下，对ＰＥＣＶＤ工艺制备的ＳｉＯｘＮｙ薄膜进行电子注入，并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明，薄膜内有较多的受主陷阱，平带电压漂移在小电流下有显著变化，该方法
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2000年1期
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