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我们对ＬＥＣ法制成的掺Ｓ的ＧａＰ单晶，从室温至１０００℃，每隔５０℃恒温３０分钟，在Ａｒ气保护下进行热处理。用正电子湮没技术（ＰＡＴ）对样品中的缺陷进行了分析研究。结果指出，随着热处理温度的升高，ＧａＰ中的点缺陷组态发生变化。测试结果表明，正电子湮湍寿命可分解为两个寿命。其中捕获态寿命τ２随热处理温度的升高，由３１０ｐｓ变为３３０ｐｓ；进而在高温下变为２８０ｐｓ。相应地捕获强度Ｉ２随温度而发生变化