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【摘 要】
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通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多结构固反应得到的外延ＣＯＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结，研究了ＣｏＳｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性，注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结
【机 构】
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复旦大学电子工程系,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,香港城市大学物理及材料科学系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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