钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究

• 作 者: 曹贵川 林祖伦 祁康成 王小菊
• 机 构: 电子科技大学光电信息学院
• 出 处: 电子元器件应用
• 发表日期: 2012年11期
• 关键词: 氧化钪 掺杂 钡钨阴极 发射特性 电流密度 scandium oxide doped barimn tungsten cathode emission c

为获得电子发射性能优异的含钪钡热钨阴极．采用液固掺杂、掺杂钨粉还原、等静压制、高温烧结、浸渍发射物质等工艺．制备出钪钨基体钡钨热阴极。对该阴极的发射性能测试结果显示，在阴极温度分别为950℃、1050℃、1100℃时，脉冲发射电流密度分别为53．6A／cm^2、65．7A／cm^2、79A／cm^2。分析认为．由于氧化钪均匀地覆盖在钨颗粒的表面，氧化钪与钨接触面增多，使氧化钪与钨的结合力增大，因此该阴极具有均匀性良好的热电子发射，较好的抗离子轰击能力．