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提出了一个判断金属／薄层半导体欧姆接触质量的新方法－－环内圆形传输线模型外的支，样品制备简单，无需台面绝缘，测试局域在很小的圆环内无需考虑圆环外的任何边界影响，由于结构的对称性，消除了侧向电流聚集效应，通过测试值的直线拟合消除了部分偶然误差，提高了精度。
判断金属／薄层半导体欧姆接触质量的一个新方法
【摘 要】
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提出了一个判断金属／薄层半导体欧姆接触质量的新方法－－环内圆形传输线模型外的支，样品制备简单，无需台面绝缘，测试局域在很小的圆环内无需考虑圆环外的任何边界影响，由于结构的对称
【机 构】
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南京理工大学应用物理系,南京大学物理系
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1999年8期
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