【摘 要】
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贯穿晶片的穿孔连接可以为GaAs FET提供低阻抗接触,从而明显地改进器件的特性。本文描述了在低压SiCl_4/Cl_2混合气体中简单的厚层正性光刻胶作掩模与反应离子刻蚀相结合的用
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贯穿晶片的穿孔连接可以为GaAs FET提供低阻抗接触,从而明显地改进器件的特性。本文描述了在低压SiCl_4/Cl_2混合气体中简单的厚层正性光刻胶作掩模与反应离子刻蚀相结合的用法。这种工艺提供可控的穿孔剖面,适用于贯穿100μm厚的衬底做连接,它在单片分布放大器制造中的应用使增益有明显的改善。
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