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本文应用非傍轴矢量矩理论,分析了670 nm AlGaInP/GaInP分别限制应变单量子阱(SCH SSQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子M2 .分析结果表明,在两种情况下,M2均小于1,而且前者具有更小的M2 .
AIGaInP/GaInP SCH S-SQW激光器光束质量的矢量矩分析
【摘 要】
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本文应用非傍轴矢量矩理论,分析了670 nm AlGaInP/GaInP分别限制应变单量子阱(SCH SSQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子M2 .分析结果表明,在
【机 构】
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浙江大学西溪校区物理系,浙江大学西溪校区物理系,
【出 处】
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光电子·激光
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金;
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