单光子计数型CCD的蒙特卡罗模拟

• 作 者: 闫永宏 赵宗清 吴玉迟 魏来 洪伟 谷渝秋 曹磊峰 姚泽恩
• 机 构: 兰州大学核科学与技术学院,中国工程物理研究院激光聚变研究中心
• 出 处: 强激光与粒子束
• 发表日期: 2013年1期
• 关键词: X射线 CCD 蒙特卡罗 量子效率 多像素事件 X-ray charge coupled device Monte Carlo quantum effici
• 基金项目: 国家自然科学基金项目（10975121,10902051,10905051,11174259）,中国工程物理研究院发展基金项目（201180102021,2009A0102003）,等离子体物理重点实验室基金项目（9140C6802041004）

建立了适用于研究PI—LCX：1300型单光子计数型CCD量子效率及多像素事件的蒙特卡罗模拟模型，采用蒙特卡罗程序Geant4对0．5～30．0keY能量区间的X射线在CCD芯片中的输运进行了模拟研究。研究了X射线在CCD芯片中的能量沉积谱，给出了CCD探测X射线的效率曲线，其结果与厂家提供的效率曲线一致。研究了Si片厚度对探测效率的影响，结果表明在有效探测范围内，Si片越厚探测效率越高，而对较高能量的X射线，此趋势不明显。研究了能量沉积分布在多个像素中的问题，结果表明周围像素中的能量沉积主要由中心像素的