【摘 要】
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本文介绍了一种适合离子敏感场效应晶体管(简称 ISFET)的流动注射分析装置的设计及制做,该装置采用一体化的设计,具有结构简单、流动性能好,分析精度高、响应速度快、样品量
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,中国科学院电子学研究所,中国科学院电子学研究所 北京100080,北京100080,北京100080
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本文介绍了一种适合离子敏感场效应晶体管(简称 ISFET)的流动注射分析装置的设计及制做,该装置采用一体化的设计,具有结构简单、流动性能好,分析精度高、响应速度快、样品量少、操作简便等优点,可适合各种离子敏感场效应晶体管的流动测量,对离子敏感场效应晶体管的实用化起到一定推动作用。
This article introduces the design and manufacture of a flow injection analysis device suitable for ion-sensitive field-effect transistor (ISFET). The device adopts an integrated design, has the advantages of simple structure, good flow performance, high analysis accuracy, fast response, Small sample size, easy operation and other advantages, suitable for a variety of ion-sensitive field-effect transistor flow measurement, ion-sensitive field effect transistor practical play a role in promoting.
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