【摘 要】
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用对靶溅射技术在MgAl2 O4(10 0 ) (MAO)和SrTiO3 (10 0 ) (STO)单晶基底上制备Pt薄膜。基底温度为 70 0℃时 ,Pt薄膜外延生长为 (2 0 0 )取向 ,Pt/STO薄膜的电阻率很低 ,而P
【机 构】
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聊城大学物理科学与信息工程学院磁电子学实验室,香港中文大学物理系,聊城大学物理科学与信息工程学院磁电子学实验室 聊城252059,香港中文大学物理系,香港新界,香港新界,聊城252059
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用对靶溅射技术在MgAl2 O4(10 0 ) (MAO)和SrTiO3 (10 0 ) (STO)单晶基底上制备Pt薄膜。基底温度为 70 0℃时 ,Pt薄膜外延生长为 (2 0 0 )取向 ,Pt/STO薄膜的电阻率很低 ,而Pt/MAO薄膜表现出高电阻特征。此外 ,Pt(5 0nm) /La0 .67Ca0 .3 3 MnO3 (5 0nm) /STO的制备和研究表明 ,在包括庞磁电阻材料的器件设计中 ,Pt是一种较好的电极材料。
Pt films were prepared on MgAl 2 O 4 (10 0) (MAO) and SrTiO 3 (10 0) (STO) single crystal substrates using target sputtering. When the substrate temperature is 70 ℃, the Pt thin films are epitaxially grown to (200) orientation, the resistivity of the Pt / STO thin films is very low, and the Pt / MAO thin films exhibit high resistance. In addition, the preparation and study of Pt (500nm) / La0.67Ca0.33MnO3 (500nm) / STO show that Pt is a good electrode material in the device design including the bulk magnetoresistance material.
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