SiC／AlN上外延GaN薄膜的黄带发光与晶体缺陷的关系

• 作 者: 范隆 郝跃 冯倩 段猛
• 机 构: 西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所
• 出 处: 光子学报
• 发表日期: 2003年8期
• 关键词: “黄带”发光(YL) 氮化镓(GaN) 晶体缺陷 Yellow band luminescence GaN Crystalline defect

利用室温光致发光(PL)技术研究了在6H-SiC(0001)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜"黄带"发光(YL)特点,与扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)技术得到的GaN薄膜的表面形貌质量和内部结晶质量的结果相对照,表明"YL"发光强度与GaN薄膜的扩展缺陷多少直接相对应.通过二次离子质谱(SIMS)技术获取的GaN薄膜中Ga元素深度分布揭示出镓空位(VGa)最可能是"YL"发光的微观来源.分析认为,虽然宏