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本文利用氢气射频等离子体辉光放电技术对a－Si及poly－Si薄膜进行了后氢化研究。确定了最佳后氢化处理条件。对后氢化前后材料的电学、光学及电子态等特性进行了测量、分析。结果表明氢气射频等离子体辉光放电技术能明显改善材料的性能。利用后氢化技术对poly－SiTFT器件进行了处理，获得了满意的效果。