【摘 要】
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InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明
【机 构】
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中国矿业大学材料科学与工程学院,宁波工程学院材料研究所
【基金项目】
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National Natural Science Foundation of China under（50871056）, the National ‘863’ Hi tech.Program of China（2009AA03Z322）
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InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符。性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3（W.m-1.K-1）降低到2.4（W.m-1.K-1）,在热传输过程中起主要作用。在708K时In10Sb10Ge合金的
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