MgH2反应法制备Mg2（Sn，Si）基热电材料及性能研究

• 作 者: 韩永辉 张永忠 陈少平 孟庆森
• 机 构: 山西景辉新能源技术公司,太原理工大学材料科学与工程学院
• 出 处: 太原科技大学学报
• 发表日期: 2016年5期
• 关键词: MgH2 FAPAS Mg2(Sn Si) 热电材料 MgH2 FAPAS Mg2 （ Sn Si） thermoelectric material
• 基金项目: 山西省归国留学人员资助项目（2012-033）

采用MgH2与Sn粉、Si粉通过固相反应法结合FAPAS法，实现了Mg2（Sn，Si）基热电材料的制备及快速致密化。采用MgH：代替单质Mg粉与Sn粉、Si粉为原料进行固相反应可有效避免Mg单质的挥发和氧化。相较于纯Mg2Sn和纯Mg：Si样品，Mg2（Sn，Si）系列固溶体热导率显著降低，但同时电性能也有所下降，样品在500K时获得最佳zT值，其中Mg2Si0．5Sn0．5样品的ZT值最高，在500K时达到0．18．MgH，反应法由于反应温度低，容易实现，产品晶粒尺寸小，热电性能佳，对于制备Mg-Si体