【摘 要】
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本文研究了封装基板经酸蚀减薄后镀铜层出现麻点的失效情况,通过金相显微镜、扫描电镜、能谱分析仪、氩离子截面抛光仪等宏微观测试方法和表征手段,对封装基板电镀铜层的生长
【机 构】
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复旦大学材料科学系,日月光半导体（上海）有限公司
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本文研究了封装基板经酸蚀减薄后镀铜层出现麻点的失效情况,通过金相显微镜、扫描电镜、能谱分析仪、氩离子截面抛光仪等宏微观测试方法和表征手段,对封装基板电镀铜层的生长过程和针孔的形成过程进行了分析论述,发现在正常的电镀工艺中会随机出现一些铜晶粒缺陷,酸蚀过程中异常晶粒整体脱落,导致麻点的产生.缺陷会造成腐蚀速度的不均匀,并引发毛细增溶效应,对此我们提出改进方案,在腐蚀液中添加半胱氨酸等铜离子的配体化合物,可使铜离子不同晶面的溶解速度发生改变,留下慢溶晶面,使针孔现象不容易发生,实验结果表明针孔数目明显减少,优
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