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本文报道用光电导采样技术测量微波单片集成电路的Ｓ参数的基本原理，首次用光电导采样技术测量了宽带低噪声三级放大器的Ｓ参数，与用网络分析仪测量的结果进行了比较，一致性很好，而光电导采样技术的测量带宽已达到１００ＧＨｚ。
用ps光电导采样技术测量微波单片集成电路的S参数
【摘 要】
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本文报道用光电导采样技术测量微波单片集成电路的Ｓ参数的基本原理，首次用光电导采样技术测量了宽带低噪声三级放大器的Ｓ参数，与用网络分析仪测量的结果进行了比较，一致性很好，而光
【机 构】
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南开大学物理系
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1999年2期
【基金项目】
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“863”计划光电子主题,国家自然科学课题基金
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