（ZnS）6-12团簇三阶非线性光学性质的理论研究

• 作 者: 张欣 黄婷婷 谭凯 林梦海 张乾二
• 机 构: 厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室理论化学中心
• 出 处: 高等学校化学学报
• 发表日期: 2007年6期
• 关键词: ZNS 半导体团簇 三阶非线性光学性质 理论计算 ZnS Semiconducting cluster Third-order nonlinear opti

在TDDgF／Lanl2DZ＋6-31G水平下对（ZnS）6-12半导体团簇的三阶非线性光学性质进行了计算，并用态求和（sos）方法得到静态三阶宏观极化率χ^（3）和0～2.5eV范围内输入光子能量对三阶微观极化率γ的动态行为。结果表明，（ZnS）6-12的χ^（3）值比其它半导体团簇的略好，且（ZnS）7和（ZnS）11分别在1.6和2.0eV处出现了很大的γ值，为-2.38×10^-33和1.26×10^-33esu．在此输入光子能量处激发，它们将会产生很强的三阶非线性光学效应。