【摘 要】
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技术概览第三代完全电介质绝缘的互补SiGeBiCMOS工艺(BiCom3)是针对超高速高精度模拟集成电路而设计的。上述器件的工作电压为5V,可在广泛的温度范围内工作,其fT的范围为15～20
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技术概览第三代完全电介质绝缘的互补SiGeBiCMOS工艺(BiCom3)是针对超高速高精度模拟集成电路而设计的。上述器件的工作电压为5V,可在广泛的温度范围内工作,其fT的范围为15～20GHz,fmax的值在40～50GHz的范围,最小化了集电极到基板的寄生现象。fT的值反应出其性能比前一代互补?
Technology Overview The third generation of fully dielectric-insulated complementary SiGeBiCMOS technology (BiCom3) is designed for ultra-high-speed, high-precision analog integrated circuits. The device operates at 5V and operates over a wide temperature range with fT ranging from 15 to 20GHz and fmax ranging from 40 to 50GHz, minimizing parasitic collector-to-substrate parasitics. The value of fT reflects its performance than the previous generation?
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