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本发明涉及利用高能离子向金属基体渗镀二硅化钼形成梯度材料的制造技术。目前市场上MoSi2产品制造比较困难，一般都采用将Mosi2粉末冷压烧结或热压法生产制造，使用范围受到极大限制。本发明通过异常辉光放电原理，形成高能钼、硅离子，一定工艺下生成MoSi2，在金属基体表面形成一定厚度的MoSi2渗镀层。本发明技术制造的MoSi2梯度材料既有所选基材的强度、韧性以及好的工艺性，