过量La掺杂的Bi-2201单晶的超导电性(英文)

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanyeliu
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在极度La掺杂的Bi2Sr2-xLaxCuO6+y单晶中发现Tc高达36K的超导相.X射线衍射(XRD图和劳埃斑点实验都显示单晶具有很好的质量.EDX分析结果和由XRD得到的单晶c轴长度均证实单晶处于极度La掺杂的区域.一般来说,处于如此高La掺杂区域的Bi2201体系不表现出超导电性.因为我们的样品曾在O2中680℃退火10小时,而且极度La掺杂会导致长程反铁磁有序背景.所以我们将这种高Tc的超导电性归因于可迁移空穴在反铁磁背景和库仑相互作用共同影响下而出现的电子相分离 Superconducting phases with Tc up to 36K were found in the extremely La-doped Bi2Sr2-xLaxCuO6 + y single crystal. X-ray diffraction (both XRD patterns and Laue speckle experiments show that the single crystal has good quality. Both the results of EDX analysis and the single crystal c-axis length obtained from XRD confirm that the single crystal is in the region of extreme La doping.In general, The Bi-2201 system in such a high La-doped region does not exhibit superconductivity because our samples were annealed at 680 ° C for 10 hours in O2 and extreme La doping results in a long-range anti-ferromagnetic ordered background, so we This high Tc superconductivity is attributed to the electronic phase separation of migrating holes under the common influence of antiferromagnetic background and Coulomb interaction
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