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保持总的工作气压不变,在不同氩氧比条件下,采用射频磁控溅射法在铝电极层上制备了ZnO薄膜。用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和压电响应力显微镜（PFM）分析了ZnO薄膜的择优取向、表面形貌和压电响应,并通过垂直PFM（VPFM）和水平PFM（LPFM）相位图研究了ZnO晶粒的极化特性。结果表明,氩氧比对ZnO薄膜的晶体结构和压电特性有显著影响,其中在氩氧比1∶1的条件下制备的ZnO薄膜具有最大的VPFM振幅和最佳的极化取向一致性。