【摘 要】
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利用扫描电子显微镜中的阴极荧光(CL)模式,来研究半导体材料的特性,已成为一种非常有效的手段。这是因为半导体的物理性质所决定的,这CL的强度、波长与半导体的组分、能带结
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利用扫描电子显微镜中的阴极荧光(CL)模式,来研究半导体材料的特性,已成为一种非常有效的手段。这是因为半导体的物理性质所决定的,这CL的强度、波长与半导体的组分、能带结构、杂质与缺陷等有着密切的关联。但是这CL的强度是极其微弱的。因此,收集传输CL将是一个关键。为此,人们想方设法利用各种反射镜来
The use of the cathode fluorescence (CL) mode in scanning electron microscopy to study the properties of semiconductor materials has become a very effective method. This is due to the physical properties of semiconductors, the CL intensity, wavelength and semiconductor composition, band structure, impurities and defects are closely related. But the intensity of this CL is extremely weak. Therefore, collecting the transmission of CL will be a key. To this end, people find ways to use a variety of mirrors
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