不同形态盆式绝缘子毛刺对其附近电场的影响及优化

• 作 者: 冯婷娜 顾生杰 马建桥 田铭兴 程鹏
• 机 构: 兰州交通大学自动化与电气工程学院,中核四0四有限公司
• 出 处: 电气工程学报
• 发表日期: 2020年3期
• 关键词: GIS 盆式绝缘子 毛刺缺陷 电场强度 环型金属镀层 GISbasin insulatorburr defectelectric field strengthr
• 基金项目: 国家电网甘肃省电力公司科技资助项目(52272217001H)

气体绝缘金属全封闭组合电器(Gas insulated switchgear,GIS)中的盆式绝缘子在生产制造过程中,其内部可能会有毛刺缺陷存在,毛刺缺陷会使其附近电场发生畸变,局部电场发生畸变会导致局部放电或击穿故障。以252kVGIS盆式绝缘子为对象,分析了嵌件毛刺半径、毛刺长度、毛刺尖端角度对其周围电场分布的影响及环型金属镀层对畸变电场的影响。结果表明,毛刺周围电场畸变程度随毛刺半径的增大而减小;毛刺尖端处电场畸变程度随毛刺长度的增加而增大;毛刺周围电场的畸变程度随毛刺尖角的增大而减小;环型金属镀层