【摘 要】
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采用反应熔渗法将熔融Si渗入C/C多孔体中制备了C/SiC复合材料.研究了包埋式布硅对C/C多孔体不同位置毛细吸附行为的影响以及对制备C/SiC复合材料密度的影响.反应熔渗制备的C/
【机 构】
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航天特种材料及工艺技术研究所,北京100074
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采用反应熔渗法将熔融Si渗入C/C多孔体中制备了C/SiC复合材料.研究了包埋式布硅对C/C多孔体不同位置毛细吸附行为的影响以及对制备C/SiC复合材料密度的影响.反应熔渗制备的C/SiC复合材料内部存在残余的游离硅,经过除硅处理后游离硅显著减少,但其致密化程度有所降低,同时其抗弯曲强度明显下降.“,”C/SiC composites were prepared by reactive melt infiltration (RMI) of molten Si into the C/C porous preform.Influences of C/C porous preform embedded in silicon powder at different positions on the capillary absorption behaviors were investigated.Lots of free Si can be found inside of C/SiC composites prepared by RMI.The free Si decreases significantly in amount after desilication treatment of C/SiC composite,the densification degree and flexural strength decrease as well.
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