【摘 要】
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叙述了用2P303zh 场效应晶体管的温度稳定低噪声前置放大器电路,介绍了各种类型负反馈电路的温度特性。在-10°～+40℃温度范围内,增益不稳定性为0.04～0.05％/℃,电压从9伏变到15
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叙述了用2P303zh 场效应晶体管的温度稳定低噪声前置放大器电路,介绍了各种类型负反馈电路的温度特性。在-10°～+40℃温度范围内,增益不稳定性为0.04～0.05％/℃,电压从9伏变到15伏时δK/K<2.5×10~(-2)。在1千赫下,源阻抗为5欧姆时,前置放大器噪声电平在4～5×10~(-9)伏赫~(-1/2)。
Describes the temperature stabilized low noise preamplifier circuit using 2P303en field effect transistor, describes the temperature characteristics of various types of negative feedback circuit. The gain instability is 0.04-0.05% / ° C at a temperature range of -10 ° C to + 40 ° C and δK / K <2.5 × 10 -2 when the voltage changes from 9 volts to 15 volts. At 1 kHz, with a source impedance of 5 ohms, the preamplifier noise level is between 4 and 5 × 10 -9 volts -1.
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