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在4．0×10^-4Pa的真空条件下，采用脉冲激光烧蚀技术在单晶Si衬底和石英衬底上制备了非晶纳米Si薄膜。在N2气氛下，经过900℃热退火得到纳米Si晶薄膜。采用表面台阶测试仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪等检测手段对样品不同位置的微观结构进行了表征。测量结果表明制备的纳米Si晶薄膜厚度及其晶粒尺寸分布不均匀，随着测量点与样品沉积中心距离的增加，薄膜的厚度逐渐减小，纳米Si晶粒的尺寸逐渐增大。从脉冲激光烧蚀动力学的角度对实验结果进行了定性的分析。