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通过对铝阳极氧化膜Ｉ－Ｖ特性进行导电机理分析，比较不同Ｒ（Ｏ：Ａｌ）及不同杂质含量氧化膜的Ｉ－Ｖ特性，发现不能形成受主、施主掺杂的杂质离子，对空间电荷限制电流作用没有贡献，而且会降低氧化膜的隧穿起始电压，增加额定工作电压下的漏电流。
高压铝阳极氧化膜的陷阱浓度与隧穿导电
【摘 要】
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通过对铝阳极氧化膜Ｉ－Ｖ特性进行导电机理分析，比较不同Ｒ（Ｏ：Ａｌ）及不同杂质含量氧化膜的Ｉ－Ｖ特性，发现不能形成受主、施主掺杂的杂质离子，对空间电荷限制电流作用没有贡献，而且会降低氧化膜的隧穿
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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1999年6期
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