【摘 要】
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本文利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)和脉冲激光沉积(PLD)等薄膜制备技术分别在硅(Si){001}基片上生长了立方碳化硅(3C-SiC)薄膜。两种方法制备的3C-SiC薄膜均与Si
【机 构】
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中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心
【基金项目】
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国家千人计划青年项目;中国科学院前沿科学重点研究项目(No.QYZDY-SSW-JSC027);国家自然科学基金资助项目(Nos.51771200,11332013);辽宁省“兴辽英才计划”项目(No.XLYC1802088)
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本文利用微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)和脉冲激光沉积(PLD)等薄膜制备技术分别在硅(Si){001}基片上生长了立方碳化硅(3C-SiC)薄膜。两种方法制备的3C-SiC薄膜均与Si基片具有相同的外延关系3C-SiC〈110〉{001}//Si〈110〉{001},但PLD法制备的3C-SiC薄膜具有较低的层错密度并与Si基片间形成了平直的界面。基于高角环形暗场像(HAADF)原子结构表征的结果,探讨了3C-SiC薄膜中内禀层错、外禀层错、微孪晶和亚稳A-A’型层错的形成机制及它们之间的结构
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