【摘 要】
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以手性化合物D-青霉胺和L-半胱氨酸为双修饰剂在水相中合成了CdSe纳米晶,痕量Hg（Ⅱ）对其荧光强度有明显猝灭作用,基于此建立了定量测定痕量Hg（Ⅱ）的新方法。在Cd2＋,HSe-,D-Pen和L-
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以手性化合物D-青霉胺和L-半胱氨酸为双修饰剂在水相中合成了CdSe纳米晶,痕量Hg（Ⅱ）对其荧光强度有明显猝灭作用,基于此建立了定量测定痕量Hg（Ⅱ）的新方法。在Cd2＋,HSe-,D-Pen和L-Cys摩尔比为1∶0.25∶2∶1.2,pH=7.5的条件下,合成的纳米晶具有更好的发光强度和稳定性。TEM显示CdSe纳米晶为球形颗粒,粒径约为50和80nm。在磷酸盐缓冲溶液（pH7.38）中,CdSe纳米晶最大荧光峰为516nm,对Hg（Ⅱ）有高选择性响应。纳米晶的相对荧光强度与Hg（Ⅱ）的浓度呈良好线
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