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本文主要讨论超薄栅介质和隧道氧化层的各种击穿机理，以及评价参数，并结合实际探讨超薄栅介质和隧道氧化层的测试结构，测试和分析技术等有关击穿特性的论证方法，为亚微米工艺，Ｅ＾２ＰＲＯＭ工艺和Ｆｌａｓｈ ｍｅｍｏｒｙ工艺的研究和开发提供一定的技术支撑。
超薄栅介质的击穿特性
【摘 要】
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本文主要讨论超薄栅介质和隧道氧化层的各种击穿机理，以及评价参数，并结合实际探讨超薄栅介质和隧道氧化层的测试结构，测试和分析技术等有关击穿特性的论证方法，为亚微米工艺，Ｅ＾２ＰＲＯＭ工艺
【机 构】
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中国华晶电子集团公司中央研究所
【出 处】
：
微电子技术
【发表日期】
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1997年5期
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