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本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混层;经160℃退火,形成晶态Pd_2Si相,比Pd/c-Si界面反应温度低;经500℃退火,未与Pd反应的非晶硅出现晶化现象。本文还观察了界面反应过程中氢的行为,发现由于界面反应,导致a-Si:H中的氢在较低温度下就开始释放。