GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效应

• 作 者: 王德煌 王威礼 王恩哥 周小川
• 机 构: 北京大学物理系,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所100871,100871,北京,100080,100080
• 出 处: 量子电子学
• 发表日期: 1992年1期
• 关键词: 多量子阱 光伏效应 超晶格 GAAS衬底 激光辐照 半导体多量子阱 激光功率 激光感生电压 超晶格结构 MOCVD

【正】 由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子阱超晶格是较为成熟的一种结构。本文初次报道GaAs多量子阱超晶格表面激光辐照感生的光伏效应研究结果。实验样品是在〈001〉晶向半绝缘GaAs衬底上,MBE生长1.5μm n~+-GaAs缓冲层后,交替地周期生长两种阱宽和垒宽,不同周期数的掺硅GaAs层,构成GaAs多量子阱超晶格结构。激