【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下（0.05～0.4Pa）沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究。结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院
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采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下（0.05～0.4Pa）沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究。结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,薄膜（002）峰强度减弱,晶粒减小,表面粗糙度增大,电学性能下降,薄膜可见光透过率变化不大,但禁带宽度变窄。与玻璃衬底相比,PEN衬底上沉积的AZO薄膜拥有更高的品质因数,获得的最佳电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.11×10-3Ω.cm、4.14×1020cm-3和13.60cm2/（V.s）,
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