B掺杂对平面结构MOCVD-ZnO薄膜性能的影响

• 作 者: 陈新亮 薛俊明 张德坤 孙建 赵颖 耿新华
• 机 构: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室；光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2008年4期
• 关键词: MOCVD ZNO薄膜 B掺杂 太阳电池 MOCVD ZnO films boron-doping solar cells
• 基金项目: This work supported by the National Basic Research Program of China （ No. 2006CB202602, 2006CB202603 ） ,Tianjin Assistant Foundation for the National Basic Research Program of China （07QTPTJC29500）, D

本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶粒尺寸为-15nm。ZnO：B薄膜的最小电阻率为5．7× 10^-3 Ω · cm。生长的ZnO薄膜（厚度d=1150nm）在400-900nm范围的透过率为82％-97％，且随着BzH6掺杂流量增大，光学吸收边呈现蓝移（即光学带隙t展宽）