第一性原理方法研究硫掺杂二氧化钛的能带结构

• 作 者: 时百成 刘涌 宋晨路 韩高荣
• 机 构: 浙江大学硅材料国家重点实验室
• 出 处: 稀有金属材料与工程
• 发表日期: 2008年A02期
• 关键词: 第一性原理 阴离子取代型硫掺杂 二氧化钛 能带结构 first-principles anionic S-doped TiO2 band structu

使用第一性原理方法理论预测了阴离子取代型S掺杂TiO2的结构参数，并与未掺杂氧化钛对比，计算分析了它们的能带结构、态密度和电子密度。结果表明，掺杂模型中Ti—S键以共价键成分为主，S的3条3p轨道在禁带中形成浅能级掺杂，其中两条接近价带，另一条轨道与价带顶的O2p轨道杂化。分析认为带间能级的出现是阴离子取代型S掺杂TiO2吸收光谱发生红移的直接原因。