【摘 要】
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在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性.结果 表明,在极小电流区(I＜1×10-8 A),主要输运机制为
【机 构】
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江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心,江苏无锡214122;黄山学院信息工程学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,安徽黄山245041
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在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性.结果 表明,在极小电流区(I＜1×10-8 A),主要输运机制为缺陷辅助隧穿.由于能带热收缩效应和辐射复合中心的热激活效应,随着温度升高,电致发光(EL)峰发生红移,半高宽(FWHM)增加;光输出强度与注入电流呈幂指数关系,表明极小电流下非辐射复合占主导,且载流子通过缺陷辅助隧穿至量子阱.在极低温度下(T～40 K)仍能观测到电致发光现象,表明载流子并未被完全冻析,在强场下可由施主态或受主态通过缺陷辅助隧穿至量子阱;随着注入电流增加,注入电荷的库伦电场对极化电场的屏蔽作用增强,导致发光峰发生明显的蓝移,能带填充效应则导致半高宽增加.
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