【摘 要】
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采用CH4／Ar偈气源系统，以Si（111）为基片在微波等离子CVD系统中通过工艺的优化在350℃沉积了金刚石膜。研究了不同的基片预处理工艺、微波功率对金刚石结构的影响，用XRD、SEM等测试
【机 构】
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武汉理工大学信息工程学院,武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
【基金项目】
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教育部重点项目(重点104136);湖北省自然科学基金(2006ABA312,2006ABA316)
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采用CH4／Ar偈气源系统，以Si（111）为基片在微波等离子CVD系统中通过工艺的优化在350℃沉积了金刚石膜。研究了不同的基片预处理工艺、微波功率对金刚石结构的影响，用XRD、SEM等测试方法进行了表征，XRD测试结果表明金刚石膜中仍存在缺陷和杂质，SEM测试结果表明金刚石膜由200nm的球状颗粒组成，存在二次成核现象。
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