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本文通过对硅基合金提拉生长工艺参数的改进,提出采用在氩气下进行熔化,选择合适的保温、加热系统的在保证硅基合金电阻率合格的前提下,使掺杂量尽可能减至最小,选择合适的坩埚位置,采用变速成锭法、保温度、防突变、缓慢跟踪等措施,从而解决硅溅、放肩、垂直生长难以控制、硅基合金强度差、易脆,经切、磨、抛后的硅基片易崩边等问题,对提高硅基合金的成品