【摘 要】
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在室温下,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺,在玻璃衬底上制备出高质量的Ga掺杂ZnO（ZnO：Ga）透明导电膜。研究了薄膜厚度对薄膜的结构、光学及电学特性的影响。制备的ZnO：Ga是具有六
【机 构】
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南开大学信息科学学院电子科学与技术系
【基金项目】
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基金项目：国家高技术研究发展计划资助项目（2006AA052422）,天津市科技攻关计划资助项目（06YFGPGX08000）,天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目（08JCYBJC13100）
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在室温下,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺,在玻璃衬底上制备出高质量的Ga掺杂ZnO（ZnO：Ga）透明导电膜。研究了薄膜厚度对薄膜的结构、光学及电学特性的影响。制备的ZnO：Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为（002）方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。优化反应条件,薄膜的电阻率达到4.69×10^-4Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。将不同厚度的ZnO：Ga薄膜（350～820 nm）在柔性聚酰亚胺衬底nip非晶硅（a-Si）薄膜太阳电池中,随厚
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