【摘 要】
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用真空等离子体喷涂(VPS)技术在C/C复合材料基体上制备了厚度为0.5mm的钨(W)涂层,涂层的表面通过物理气相沉积(PVD)预沉积钨、铼(Re)多层作为碳(C)的扩散势垒.涂层经过1200℃
【机 构】
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核工业西南物理研究院,九州大学应用力学研究所,国家核融合研究所
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用真空等离子体喷涂(VPS)技术在C/C复合材料基体上制备了厚度为0.5mm的钨(W)涂层,涂层的表面通过物理气相沉积(PVD)预沉积钨、铼(Re)多层作为碳(C)的扩散势垒.涂层经过1200℃～2000℃的电子束退火,其微观结构和化学构成发生变化.经测量涂层的再结晶温度约为1400℃,再结晶的活性能为63kJ/mol.当退火温度高于1300℃时,涂层表面的多层W、Re结构将由于W、Re和C之间的相互扩散而发生改变,并在1600℃以上退火1h后由于脆性碳化钨在界面的形成而完全失效,碳化钨层的厚度将随着退火
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