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本文报导了一种化学镀铂液在n型(N<sub>D</sub>=10<sup>16</sup>)单晶GaAs上沉积金属铂制备Pt/n-GaAs肖特基结的方法,由I-V曲线和热电子发射方程,测得其势垒高度和理想因子分别为0.82eV和1.53,文中还讨论了化学沉积机理。
化学沉积法制备Pt／n—GaAs肖特基结
【摘 要】
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本文报导了一种化学镀铂液在n型(N<sub>D</sub>=10<sup>16</sup>)单晶GaAs上沉积金属铂制备Pt/n-GaAs肖特基结的方法,由I-V曲线和热电子发射方程,测得其势垒高度和理想因子分
【机 构】
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吉林大学化学系,吉林大学化学系长春130023,长春130023
【出 处】
：
半导体技术
【发表日期】
：
1992年1期
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