【摘 要】
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本文主要通过对 PECVD 淀积 SiO_2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中 L4281 2-1/ZM 型平板单室 PECVD 淀积
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本文主要通过对 PECVD 淀积 SiO_2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中 L4281 2-1/ZM 型平板单室 PECVD 淀积生长速率低于100(?)/min 的致密 SiO_2膜层的最佳工艺条件。
In this paper, mainly through the PECVD deposition of SiO2 film process principle and the process parameters of the long film rate, the impact of tightness analysis, and through the specific process test, and ultimately reached Jianzhong L4281 2-1 / ZM type plate Single chamber PECVD deposition growth rate of less than 100 (?) / Min dense SiO 2 film the best process conditions.
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