W-Cu电子封装材料的气密性

来源 :中国有色金属学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dxy_10121012
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分析了传统熔渗法生产的WCu材料气密性差的工艺因素,采用加入一定数量的诱导铜的工艺方法进行压型,通过调整成型压力,使生坯中的W含量达到电子封装WCu15含钨量的标准,其余的Cu在熔渗时渗入。实验表明,加入1%~2.5%的诱导铜的生坯在1350℃熔渗1.5h,其气密性可以达到满意的效果。 The technological factors of poor air tightness of W-Cu material produced by the traditional infiltration method were analyzed. The method of adding a certain amount of copper-inducing method was used for pressing. The W content in the green body was adjusted to W Cu15 tungsten content of the standard, the rest of the infiltration of infiltration infiltration Cu. Experiments show that the addition of 1% to 2.5% of copper-induced green infiltration at 1350 ℃ 1.5h, the air tightness can achieve satisfactory results.
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