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介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT.讨论了GaAs和InP HBT结构的新进展及其对性能的改善,并对各结构的适用范围和优缺点进行了比较.
HBT结构的新进展
【摘 要】
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介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT.讨论了GaAs和InP HBT结构的新进展及其对性能的改善,并对各结
【机 构】
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中科院微电子中心
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2002年6期
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