【摘 要】
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原子层外延生长(ALE)最初被设想为生长半导体化合物的一种方法,生长层具有大面积的非凡均匀性,层面厚度能被精确控制。当应用于金刚石时,ALE不仅仍保持上述特性,而且致力于解
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原子层外延生长(ALE)最初被设想为生长半导体化合物的一种方法,生长层具有大面积的非凡均匀性,层面厚度能被精确控制。当应用于金刚石时,ALE不仅仍保持上述特性,而且致力于解决悬挂碳键/石墨夹杂物问题。
Atomic layer epitaxial growth (ALE) was originally conceived as a method of growing semiconducting compounds with a large area of extraordinary uniformity in the growth layer, with the layer thickness being precisely controlled. When applied to diamond, ALE not only maintains the above characteristics, but also solves the problem of hanging carbon bonds / graphite inclusions.
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