薄膜非晶／微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

• 作 者: 朱锋 赵颖 魏长春 任慧智 薛俊明 张晓丹 高艳涛 张德坤
• 机 构: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室、光电信息技术科学教育部重点实验室
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2006年1期
• 关键词: 非晶/微晶叠层电池 微晶硅 N/P隧穿结 α-Si/gc-Si tandem solar cell microcrystaUine sillicon NP tu
• 基金项目: 国家科技部重大基础研究项目（G2000028203,G2000028202）和教育部重点项目（No.02167）资助

本文论述了薄膜非晶／微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅，减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度，降低NP隧穿结的影响，获得薄膜叠层电池效率11．73％（k=1．34V，L=14．53mA／cm^2，FF=60．27％），电池面积为0．253cm^2。