ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长

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一维纳米结构因其优异的光、电特性,在纳米电子学,光电子学器件等方面有重要的应用价值而倍受关注.在一维半导体纳米材料中,ZnO因激子束缚能大(60 meV),可在室温获得高效的紫外发光而成为近年来继GaN材料后的又一研究热点.外延生长一维纳米结构ZnO及其量子阱材料除因量子尺寸效应更适宜做室温紫外发光、激光材料与器件外,还因界面和量子限制效应而具有许多新奇的光、电、和力学特性,可应用于纳米光电子学器件,传感器及存储器件,纳米尺度共振隧道结型器件和场效应晶体管的研制和开发.文章着重介绍了目前ZnO一维纳米结构
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