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介绍了在ＧａＡｓ液相外廷过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外廷生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外廷片，并确定了比较好的生长工艺条件。这对生长高质量的ＧａＡｓ外廷片制做参数一致性好，可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义。
砷化镓液相外和廷片均匀性的研究
【摘 要】
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介绍了在ＧａＡｓ液相外廷过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外廷生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外廷片，并确定了比较好的生长
【出 处】
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河北工学院学报
【发表日期】
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1994年1期
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