【摘 要】
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1.引言1975年由 Auston 首先叙述的超快光电导器件已在各种实验系统中获得广泛应用。迄今这种器件主要用于半导体材料及其元件的电特性研究。尽管 InP:Fe 光电导体已用作响
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1.引言1975年由 Auston 首先叙述的超快光电导器件已在各种实验系统中获得广泛应用。迄今这种器件主要用于半导体材料及其元件的电特性研究。尽管 InP:Fe 光电导体已用作响应时间1ps、光电导增益高达5的光探测器,但把这种
1. Introduction Ultrafast photoconductive devices, first described by Auston in 1975, have found wide application in a variety of experimental systems. So far this device is mainly used for the electrical properties of semiconductor materials and their components. Although the InP: Fe photoconductor has been used as a photodetector with a response time of 1 ps and a photoconductive gain of up to 5, this
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