论文部分内容阅读
中国科学院物理所微加工实验室与日本物质材料研究机构合作，近日采用化学气相沉积法获得了N型的氮化硼半导体纳米管。氮化硼作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同，氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性，有着诱人的前景。而实现氮化硼纳米管的掺杂、诱导其半导体特性，是实现该材料大规模应用的关键。对氮化硼纳米管结构进行的系统衷征证明，这是一种稳定的掺杂结构。